Физика-техникалық институты Қазақ КСР Министрлер Кеңесінің 1990 жылғы 27 желтоқсандағы No535 «Қазақ КСР Ғылым академиясының Физика-техникалық институтын ұйымдастыру туралы» қаулысымен құрылды.

2015 жылдан бастап жалғыз құрылтайшысы ҚазҰТУ НАО болып табылады. Институт Алматы қаласының көрікті жерінде, Алатау шағын ауданында орналасқан.

Элементар бөлшектер физикасы және магниттік-резонанстық ЭПР томография саласында әлемдік деңгейдегі жаңалықтар ашқан жетекші ғалымдар институт пен қазақстандық ғылым тарихына өз үлестерін қосты.

Институт жас ғалымдарды, жоғары деңгейдегі ғалымдарды шабыттандыратын, қызықтыратын және ұстанатын жоғары импакт-факторлы жетекші ғылыми журналдарда ғылыми негіздерді қалыптастыру, бәсекеге қабілетті нәтижелер алу, оларды енгізу және жариялау үшін қолайлы жағдайлар жасау үшін таланттардың жоғары шоғырлануы, ресурстардың молдығы, тиімді басқару есебінен қолданбалы және іргелі ғылыми зерттеулер орталығына айналу мақсатын айқындайды.

Қазіргі уақытта «ФТИ» ЖШС қатты дене және жартылай өткізгіштер физикасы, материалтану, наноғылым және нанотехнология, жоғары энергия физикасы және ғарыштық сәулелер саласындағы жетекші ғылыми орталықтардың бірі болып табылады, іргелі және қолданбалы зерттеулерге арналған ғылыми-технологиялық инфрақұрылымы бар 8 ғылыми зертханасы бар, оларда алдыңғы қатарлы ғылыми-зерттеу, тәжірибелік-конструкторлық жұмыстар жүргізеді.

Физикотехникалық институтта құрылған конденсацияланған заттар физикасы және материалдарды ион-сәулелік модификациялау саласындағы қазақ ғылыми мектебі жалпыға танылған.

ЖҰМЫСТЫҢ НЕГІЗГІ БАҒЫТТАРЫ

«Нанотехнологиялар және жаңа материалдар» бағыты бойынша бағдарламалар мен жобаларды іске асыру үшін қажетті технологиялық инфрақұрылымды құру.

Наноөлшемді құрылымдарды синтездеудің тәжірибелік әдістерінің заманауи аппараттық базасын құру – молекулалық сәуле эпитаксисі, бу-фазалық эпитаксис, ион-сәулелік синтез, иондық имплантация, золь-гель технологиясы.

Наноөлшемді объектілердің, наноқұрылымдардың және кластерлердің қасиеттерін талдауға, материал қасиеттерін мақсатты түрде өзгертуге арналған аппараттық және аналитикалық құралдарды әзірлеу

Заттардың кең класына негізделген кең ауқымды қолдану үшін наноқұрылымдарды синтездеу үшін әлемдік бәсекеге қабілетті ғылыми өнімдер мен коммерциялық технологияларды әзірлеу

Микро- және наноэлектроника, фотоэлектрлік және басқа салаларда қолдану үшін жартылай өткізгіш материалдарды алу және тазартудың металлотермиялық, пирометаллургиялық, химиялық және кристалдану технологияларын әзірлеу

ЖЕТІСТІКТЕР

Ең маңызды нәтижелерге мыналар жатады:

Материалдың электрондық қасиеттерін анықтайтын тыйым салынған аймақтан терең деңгейлерді жоюдан тұратын кристалдық кремнийдегі радиациялық ақаулардың сутегі пассивациясының әсері ашылды және зерттелді.

Бос орындардан, интерстициалды атомдардан және қоспа атомдарынан тұратын кремнийдегі нанокластерлердің сутегімен жеделдетілген түзілуінің жаңа құбылысы ашылды және зерттелді . Бұл әсерді пайдалану наноқұрылымдардың өздігінен ұйымдастырылған синтезінің жаңа бағытын ашады.

Кремнийдегі ақаулы-қоспалы орталықтардың сериясы ашылды, олар әлемдік классификация бойынша Алматы 1,……19 атауын алды. Ашылған EPR орталықтарының саны бойынша бұл жалпы санның шамамен 10%-ын құрайтынын атап өткен жөн және әлемге әйгілі Physical Institute of Physical Institute сияқты профессор Джордж Уоткинс (Олбани, АҚШ) және профессор Аммерлан (Амстердам, Нидерланды) зертханаларынан кейінгі үшінші көрсеткіш болып табылады. Ресей ғылым академиясының (Санкт-Петербург) және Ресей Ғылым академиясының Сібір бөлімшесінің жартылай өткізгіштер физикасы институтының (Новосибирск қ.).

Ультра төмен энергия иондарының бірегей жоғары ток үдеткіші жасалды, оның авторлары АҚШ-та патенттерге ие. Осы үдеткішті пайдалана отырып, атомдық және молекулалық сәулелермен төмен энергиялы иондарды имплантациялау арқылы кремнийді қоспалаудың физикалық принциптері, құрылғыларды жасау үшін ионды-плазмалық технология және практикалық қолдану үшін құнды қасиеттері бар жабындарды синтездеу әзірленді. Параметрлері бүгінгі күнге дейін рекордтық көрсеткішке ие жартылай өткізгіш сәулелену детекторларын өндіру бойынша ноу-хау технологиясы әзірленді. Бұл детекторлар ғарыш кеңістігінде ұшақ бортында жиырма мыңнан астам сағат бойы параметрлерін төмендетпей жұмыс істеді.

Оқшауланған өздігінен интерстициалды атом және кремнийдегі бірқатар радиациялық ақаулар, соның ішінде би- және метатұрақтылық қасиеттері бар, ашылды және анықталды (Физика ғылымдарының жетістіктері, 2000, 143-155 бет).

Силикатты шлактарды өңдеу арқылы жартылай өткізгіш кремний және газтәрізді моносилан (SiH4 молекуласы) алу технологиясы әзірленді (Қазақстан Республикасының алдын ала патенттері № 17865 және № 17866. Патент № 17865 халықаралық патенттік агенттіктен де оң шешім алды).

Атомдық және молекулалық сәулелермен төмен энергиялы иондарды имплантациялау әдісімен кремнийді қоспалаудың физикалық принциптері, құрылғыларды жасаудың ионды-плазмалық технологиясы және практикалық қолдану үшін құнды қасиеттері бар жабындарды синтездеу әзірленді (Дж. Рад. Эфф. және DEf. In Solids, 1990. V.114, pp.).

ЫНТЫМАҚТАСТЫҚ

Физикотехникалық институт қызметінің маңызды аспектісі кең халықаралық ғылыми-техникалық ынтымақтастық болып табылады: Институт көптеген елдермен (АҚШ, Германия, Жапония, Ресей, Сауд Арабиясы және т.б.) байланыстар жүргізеді, олардың құрамына 70-ке жуық ғылыми орталықтар мен университеттер кіреді, мысалы, Еуропалық ядролық зерттеулер ұйымы CERN, Суонси университеті (Ұлыбритания), Ресейдің Nuclear Research Institute of Nuclear Research Institute (Nuclear Research Institute, Nucley Research Institute, Nuclean Institute for Nuclean Research Institute), Ломоносов атындағы Мәскеу мемлекеттік университетінің физикасы (Ресей), РҒА А.Ф.Иоффе атындағы физика-техникалық институты (Ресей), Өзбекстан Республикасы Ғылым академиясының Ядролық физика институты, Өзбекстан Республикасы Ғылым академиясының Физикотехникалық институты және т.б.

Бір ғана Қазақстанда Физикотехникалық институт әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті, ҚазҰУ, әл-Фараби атындағы Қазақ-неміс университеті, Алматыдағы УО Қазақ-неміс университеті, Астана PI Ұлттық зертханасы, Қарағанды техникалық университеті НАО, ЖенПУ, «ЖенПУ», «ЖенПУ» ЖШС және басқа да ұйымдар сияқты әртүрлі қалалардың 50 ғылыми орталықтарымен, университеттерімен, өнеркәсіптік кәсіпорындарымен және фирмаларымен ынтымақтасады. «Электроманганец» ЖШС, «Пакр» АЭА инновациялық технологиялары және т.б.

Қазақстандық күн панельдерін өндіруші

Институт туралы

Фотогалерея

Сертификаттар, лицензиялар

Қазақстан Республикасы, Алматы қ., 050032, Медеу ауданы, Алатау ш.а.,
Ибрагимов көшесі, 11

+7 (727) 386‒53‒76
+7 (727) 386‒55‒36

info@sci.kz

Сайт әзірленді Сергей Зайцев

ИНСТИТУТ ТУРАЛЫ

ЖҰМЫСТЫҢ НЕГІЗГІ БАҒЫТТАРЫ

ЖЕТІСТІКТЕР

Ең маңызды нәтижелерге мыналар жатады:

ЫНТЫМАҚТАСТЫҚ