Физико-технический институт - создан по постановлению Совета Министров Казахской ССР от 27 декабря 1990 г. № 535 «Об организации Физико-технического института Академии наук Казахской ССР».

С 2015 года единственным учредителем является НАО «КазНИТУ». Институт расположен в живописном пригороде города Алматы, микрорайоне Алатау.

В историю развития института и казахстанской науки внесли свой вклад крупные ученые, сделавшие открытия мирового уровня в области физики элементарных частиц, магниторезонансной ЭПР-томографии.

Институт определяет цель стать центром прикладных и фундаментальных научных исследований за счет высокой концентрации талантов, изобилия ресурсов, эффективного управления для создания благоприятных условий формирования научных заделов, получения конкурентоспособных результатов, их внедрения и опубликования в ведущих научных изданиях с высоким импакт-фактором, которые вдохновляют, привлекают и сохраняют молодых ученых, ученых высокого уровня.

В данное время ТОО «ФТИ» является одним из ведущих научных центров в области физики твердого тела и полупроводников, материаловедения, нанонауки и нанотехнологий, физики высоких энергий и космических лучей, имеет 8 научных лаборатории, которые обладает научно-технологической инфраструктурой для проведения фундаментальных и прикладных исследований, которое ведутся передовые научно-исследовательские, опытно-конструкторские работы.

Общепризнанной является созданная в Физико-техническом институте казахстанская научная школа в области физики конденсированного состояния и ионно-лучевой модификации материалов.

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАБОТ

Создание необходимой технологической инфраструктуры для реализации программ и проектов по направлению «Нанотехнологии и новые материалы»

Создание современной аппаратурной базы экспериментальных методов для синтеза наноразмерных структур – молекулярно-лучевой эпитаксии, парофазной эпитаксии, ионно-лучевого синтеза, ионной имплантации, золь-гель технологии

Развитие аппаратных и аналитических средств для анализа свойств наноразмерных объектов, наноструктур и кластеров, для проведения направленной модификации свойств материалов

Разработка конкурентоспособных на глобальном рынке научных продуктов и коммерческих технологий синтеза наноструктур широкого диапазона применений на основе широкого класса веществ

Разработка металлотермических, пирометаллургических, химических и кристаллизационных технологий получения и очистки полупроводниковых материалов для применения в микро- и наноэлектронике, фотоэнергетике и других областях

ДОСТИЖЕНИЯ

Из наиболее важных результатов можно отметить следующие:

Обнаружен и исследован эффект водородной пассивации радиационных дефектов в кристаллическом кремнии, заключающийся в удалении из запрещенной зоны глубоких уровней, определяющих электронные свойства материала.

Обнаружено и исследовано новое явление водородо-ускоренного формирования нанокластеров в кремнии, состоящих из вакансий, междоузельных атомов и атомов примесей. Использование этого эффекта открывает новое направление самоорганизованного синтеза наноструктур.

Открыта серия дефектно-примесных центров в кремнии, получивших согласно мировой классификации наименование Алматы 1,……19. Следует отметить, что по числу обнаруженных ЭПР центров это составляет примерно 10% от общего числа и является третьим показателем в мире после лабораторий профессора Джорджа Уоткинса (Олбани, США) и профессора Аммерлаана (Амстердам, Нидерланды), оставив далеко позади (по четыре ЭПР центра) знаменитые в мировом масштабе научные центры, такие как Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) и Институт физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск).

Разработан уникальный сильноточный ускоритель ионов сверхнизких энергий, авторы которого обладают патентами в США. С использованием данного ускорителя разработаны физические основы легирования кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации атомарными и молекулярными пучками, ионно-плазменной технологии изготовления приборов и синтеза покрытий с ценными для практического использования свойствами. Разработана ноу-хау технология изготовления полупроводниковых детекторов радиационных излучений с рекордными до сегодняшнего дня параметрами. Эти детекторы отработали без деградации параметров более двадцати тысяч часов на борту летательных аппаратов в открытом космическом пространстве.

Обнаружен и идентифицирован изолированный собственный междоузельный атом и ряд радиационных дефектов в кремнии, в том числе обладающих свойствами би- и метастабильности (Успехи физических наук, 2000, с. 143-155).

Разработана технология получения полупроводникового кремния и газообразного моносилана (молекула SiH4) путем переработки силикатных шлаков (Предварительные патенты РК № 17865 и № 17866. Патент № 17865 получил также положительное решение Международного патентного агентства).

Разработаны физические основы легирования кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации атомарными и молекулярными пучками, ионно-плазменной технологии изготовления приборов и синтеза покрытий с ценными для практического использования свойствами (J.Rad.Eff. and DEf. In Solids, 1990. V.114, pp 3-14).

СОТРУДНИЧЕСТВО

Важный аспект деятельности ФТИ - широкое международное научно-техническое сотрудничество: Институт поддерживает связи со многими странами (США, Германия, Япония, Россия, Саудовская Аравия и др.), которые включают около 70 научных центров и университетов, как Европейская организация по ядерным исследованиям CERN, Swansea University (Великобритания), Объединенный институт ядерных исследований (Дубна, Россия), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова (Россия), Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Россия), Институт Ядерной физики АН Республики Узбекистан, Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, и другие.

Только в Казахстане ФТИ осуществляет сотрудничество с 50 исследовательскими центрами, университетами, промышленными предприятиями и фирмами из различных городов, такими как КазНУ им. Аль-Фараби, УО Казахстанско-Немецкий университет в Алматы, ЧУ National Laboratory Astana, НАО Карагандинский технический университет, ЖенПУ, и др. организации как
ТОО Фирма Балауса, ТОО МК KazSilicon, ТОО Электромарганец, СЭЗ Пакр инновационных технологии, и многие другие.

Казахстанский производитель солнечных панелей

Об институте

Фотогалерея

Сертификаты и лицензиии

Республика Казахстан,
г. Алматы, Медеуский район, мкр. Алатау,
ул. Ибрагимова, 11

+7 (727) 386‒53‒76
+7 (727) 386‒55‒36

info@sci.kz

Сайт разработал Сергей Зайцев

ОБ ИНСТИТУТЕ

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАБОТ

ДОСТИЖЕНИЯ

Из наиболее важных результатов можно отметить следующие:

СОТРУДНИЧЕСТВО